先進晶圓級封裝技術(shù)，主要包括了五大要素： 01 晶圓級凸塊(Wafer Bumping)技術(shù) 02 扇入型(Fan-In)晶圓級封裝技術(shù) 03 扇出型(Fan-Out)晶圓級封裝技術(shù) 04 2.5D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 05 3D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 晶圓凸塊(Wafer Bumping)，顧名思義，即是在切割晶圓之前，于晶圓的預(yù)設(shè)位置上形成或安裝焊球(亦稱凸塊…
查看詳情 目前熱門的3D IC封裝、HBM以及FOWLP等先進封裝工藝都可見到真空壓膜機的蹤跡?！ ≌婵諌耗ねǔＪ侵冈谠O(shè)備的真空模塊內(nèi)將干膜材料與基材進行貼合，完成加熱壓膜動作，常見的真空壓膜機通常都是采用單段加壓覆膜以及預(yù)貼膜的方式，但該方式對于表面具有許多細微凸凹結(jié)構(gòu)的晶圓(如高深寬比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)無法滿足其高深寬比結(jié)構(gòu)的干膜填覆的晶圓級封裝需求;另外，先…
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芯片與粘接材料間空洞解決方案 引起膠水氣泡的原因一般有兩種，其一，在倒入膠水時候，導(dǎo)致空氣進入膠水內(nèi)部，而膠水黏度比較高，使空氣無法從中逃脫;其二，調(diào)試膠水不均勻，兩種就是導(dǎo)致膠水出現(xiàn)氣泡最直接的原因。芯片粘接過程中空洞的出現(xiàn)會導(dǎo)致很多問題的出現(xiàn)，最嚴重，全線無法生產(chǎn)，需要保證粘接效果無氣泡也是非常重要的?！ ≌辰雍附託馀萁鉀Q方案： 01 潔凈度 使用芯片粘接工藝時，應(yīng)保證粘接界面有良好…
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功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，具有處理高電壓，大電流的能力?！ ≡谶^去相當(dāng)長的一段時間里，功率半導(dǎo)體市場一直由歐、美、日等外資巨頭牢牢占據(jù)著主導(dǎo)地位，隨著近年來新能源汽車的發(fā)展，許多本土企業(yè)也紛紛入局。放眼市場，不論是傳統(tǒng)Si功率器件IGBT、MOSFET，還是以SiC、GaN等為代表的第三代半導(dǎo)體，國內(nèi)都有企業(yè)布局。 01 …
查看詳情 什么是TSV?TSV是硅通孔的簡寫，利用通孔進行垂直的電連接，貫穿WAFER或芯片。一般來講這種技術(shù)被一些類似臺積電，聯(lián)電和格芯等全球代工廠代工廠制造的。TSV可以替代引線鍵合和倒裝焊技術(shù)?！ SV用于2.5 d和3 d封裝，用于電連接。根據(jù)TSV被制作的時間順序有3種類型的TSV，分別指在晶圓制作工藝中的前，中或后段。第一個在晶圓制作工藝前段，意味著TSV在FEOL段前加工而成。因此工…
查看詳情 點膠和底部填充的路徑與模式基本要求 在設(shè)計點膠路徑時，不僅要考慮點膠效率和填充流動形態(tài)，為了在BGA及類似器件的邊緣良好成型，還要認真考慮器件邊緣溢膠區(qū)域限制。日前的電子產(chǎn)品，由于其高密度組裝特點，其溢膠區(qū)域通常受到限制。某些特定區(qū)域溢膠甚至不能超過器件邊沿的0.1mm，較普遍的是小于0.2mm，見圖7A和7B;同時限制區(qū)域外的膠痕厚度不能高過PCB表面20um。由此可見，對于手持式產(chǎn)品的高…
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此類氣泡一般較少并且有規(guī)律(1-2pcs左右，基本在同一位置)?！ ‘a(chǎn)生此類氣泡主要有以下幾方面的原因： 1.點膠機速度過快。點膠速度過快是萬惡之源。 2.點膠針頭位置不合理 or 針頭毛刺現(xiàn)象嚴重。位置不合理包括預(yù)設(shè)針頭初始位置不合理、針頭高度不合理、點膠過程中機器 or 夾具偏差 or 支架起伏 or 作業(yè)員未按要求統(tǒng)一放置支架所帶來的針頭偏離合理位置等?！ ?.支架吸濕 or 表…
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包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設(shè)計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用;外延是在襯底材料上生長出新的半導(dǎo)體晶層，這些外延層是制造半導(dǎo)體芯片的重要原料，影響器件的基本性能;設(shè)計包括器件設(shè)計和集成電路設(shè)計，其中器件設(shè)計包括半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、材料，與外延相關(guān)性很大;制造需要通過光刻、薄膜沉積、刻蝕等復(fù)雜工藝流程在外延片上制作出設(shè)計…
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1月28日，在廣東省高質(zhì)量發(fā)展大會上，華潤微電子有限公司總裁李虹、粵芯半導(dǎo)體總裁陳衛(wèi)分別對外公布了最新項目動態(tài)，立下“軍令狀”。 華潤微深圳建設(shè)的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線一期總投資額超220億元，爭取2024年年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)!粵芯半導(dǎo)體，加快三期項目建設(shè)，爭取2023年年底設(shè)備搬入、明年投產(chǎn)! 1、新進展!華潤微深圳：12英寸集成電路生產(chǎn)線項目：2024年年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)! 1月…
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