化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)SiC功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn) New challenge 01 引線(xiàn)鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來(lái)的問(wèn)題 引線(xiàn)鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來(lái)較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開(kāi)關(guān)速度可以更快，因而電壓和電流隨時(shí)間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大，這會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的波形帶來(lái)過(guò)沖和震蕩，會(huì)引起開(kāi)關(guān)損耗的增加，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)鸸β势骷恼`開(kāi)關(guān)，因此 SiC …
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第一代半導(dǎo)體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表，主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域，奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要應(yīng)用于通信領(lǐng)域，用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件，奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需要的不斷延伸，二者的局限性逐漸體現(xiàn)出來(lái)，難以滿(mǎn)足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求?！ ∫蕴蓟?…
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工研院業(yè)科技國(guó)際策略發(fā)展所于4日指出，中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破4兆元，達(dá)新臺(tái)幣4.1兆元，較2020全年成長(zhǎng)25.9%，大幅高于全球市場(chǎng)平均。同時(shí)，IC設(shè)計(jì)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破兆元，達(dá)1.20兆元，成長(zhǎng)40.7% 工研院表示，2020年全球受到新冠肺炎疫情影響，全球經(jīng)濟(jì)從實(shí)體經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)換為在線(xiàn)經(jīng)濟(jì)與零接觸活動(dòng)，無(wú)論是在線(xiàn)購(gòu)物、在線(xiàn)咨詢(xún)、在線(xiàn)會(huì)議、在線(xiàn)課程等，延續(xù)到202…
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Underfill(底部填充膠)的功能與應(yīng)用 1：為什么要用底填膠? 解決PCBA上的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，CSP/BGA存在的隱患-應(yīng)力集中; 1) 熱應(yīng)力 因?yàn)樾酒突牡木€(xiàn)性膨脹系數(shù)(CTE)不一樣，在冷熱循環(huán)測(cè)試時(shí)，高CTE和低CTE的材料之膨脹系數(shù)之差會(huì)導(dǎo)至焊球受到相互的約束，使其不能完全自由脹縮，而發(fā)生形變，終導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂; 2)機(jī)械應(yīng)力 結(jié)合應(yīng)用端的使用情況，一些如PCB板材…
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1、IGBT模塊結(jié)構(gòu) IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線(xiàn)實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示?！ 纳现滤来斡尚酒?，DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構(gòu)成，上下兩…
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封裝基板和封裝分級(jí) 從硅圓片制作開(kāi)始，微電子封裝可分為0、1、2、3四個(gè)等級(jí)，涉及上述六個(gè)層次，封裝基板(PKG基板或Substrate)技術(shù)現(xiàn)涉及1、2、3三個(gè)等級(jí)和2～5的四個(gè)層次?！ 》庋b基板主要研究前3個(gè)級(jí)別的半導(dǎo)體封裝(1、2、3級(jí)封裝)，0級(jí)封裝暫與封裝基板無(wú)關(guān)，因此封裝基板一般是指用于1級(jí)2級(jí)封裝的基板材料，母板(或載板)、剛撓結(jié)合板等用于三級(jí)封裝?！ 》庋b基板和三級(jí)封裝 零…
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芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補(bǔ)強(qiáng)，提高電子產(chǎn)品的機(jī)械性能和可靠性。根據(jù)芯片組裝的要求，討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法。 倒裝焊連接技術(shù)是目前半導(dǎo)體封裝的主流技術(shù)。倒裝芯片連接引線(xiàn)短，焊點(diǎn)直接與印刷線(xiàn)路板或其它基板焊接，引線(xiàn)電感小，信號(hào)間竄擾小，信號(hào)傳輸延時(shí)短，電性能好，是互連中延時(shí)*短、寄生效應(yīng)*小的一種互連方法。這些優(yōu)點(diǎn)使得倒裝芯片在便攜式設(shè)備…
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第三代半導(dǎo)體也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體，不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體主要賴(lài)硅晶圓，它在材料層面上實(shí)現(xiàn)了更新。而與第一代、第二代半導(dǎo)體并非替代關(guān)系，而是形成互補(bǔ)，三者特性各異、用途不同?！ 【唧w來(lái)看，第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主，是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料;第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等，目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類(lèi)材料制作。 第三代半導(dǎo)體材料主要是…
查看詳情 封裝的工序比較復(fù)雜，大概有十幾道工序，有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄，適應(yīng)封裝需要;劃片就是通過(guò)金屬刀片，讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來(lái);裝片就是通過(guò)導(dǎo)電膠，讓芯片跟引線(xiàn)框固定起來(lái);鍵合就是通過(guò)芯片的pad與框架之間實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通;塑封就是把產(chǎn)品包裝起來(lái)。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評(píng)論區(qū)發(fā)表見(jiàn)解和想法。ELT封裝除泡機(jī) IC Package (IC的封裝形式)Packag…
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